Samsung перейдёт на техпроцесс TSMC 3 нм для выпуска подложек HBM нового поколения для Nvidia
Главный смысл: Samsung впервые отступает от принципа «весь цикл HBM — внутри одной компании»: как сообщает Seoul Economic Daily, её дивизион Device Solutions согласился выпускать подложечные кристаллы заказной памяти NVHBM для NVIDIA на 3-нанометровом процессе TSMC, а не у себя.
- Что потребовала NVIDIA. По данным издания, требования получили все три поставщика NVHBM — Samsung, SK Hynix и Micron: подложечные кристаллы (base die) — только на 3 нм TSMC, а сердцевинные (core die) — единообразно на шестом поколении DRAM-процесса с кодом 1c. Сама NVHBM — заказная память NVIDIA на архитектуре HBM4E, представленная в августе.
- Зачем это нужно. Аргумент NVIDIA: производственные схемы поставщиков различаются, и на одном дизайне трудно добиться стабильных одинаковых характеристик; стандартизация сокращает валидацию продукции каждого партнёра.
- Что Samsung уступила и что сохранила. Уступка касается только NVHBM. Для стандартной памяти полный цикл сохраняется: серийный выпуск HBM4 компания первой запустила в этом году, HBM4E проходит производственную валидацию; подложку для них делает собственный 4-нм процесс, сердцевину — линии 1c в Хвасоне и Пхёнтхэке. Заказную память для AMD и других клиентов Samsung тоже планирует выпускать «под ключ».
- Подстраховка. По словам собеседника газеты, Samsung параллельно проверяет, может ли делать такие кристаллы сама, — запасной вариант на случай, если спрос превысит мощности TSMC.
Что дальше: Ключевое следствие: NVIDIA диктует поставщикам техпроцесс даже компании с собственным контрактным чиповым бизнесом, и самый передовой заказ уходит TSMC. Официальных подтверждений нет — информация опирается на отраслевые источники газеты; сроки выпуска NVHBM и коммерческие условия не раскрыты. Следить стоит за реакцией SK Hynix и Micron (примут ли те же условия), за попытками Samsung удержать заказные заказы в своём литейном бизнесе и за мощностями TSMC по 3 нм — они могут стать узким местом сроков HBM4E.